容量型微細加工トランスデューサ及びその製造方法

摘要

本発明は、容量型微細加工トランスデューサ１００、特にＣＭＵＴの製造方法に関する。方法は、基板１の上に第１の電極層１０を堆積させるステップと、第１の電極層１０の上に第１の誘電体膜２０を堆積させるステップと、第１の誘電体膜２０の上にトランスデューサのキャビティ３５を形成するために除去可能な犠牲層３０を堆積させるステップと、犠牲層３０の上に第２の誘電体膜４０を堆積させるステップと、第２の誘電体膜４０の上に第２の電極層５０を堆積させるステップと、堆積された層及び膜１０、２０、３０、４０、５０のうちの少なくとも１つをパターニングするステップとを含む。堆積ステップは原子層堆積法により実行される。本発明は、かかる方法によって製造された容量型微細加工トランスデューサ１００、特にＣＭＵＴに更に関する。