薄膜电晶体制造方法;METHOD OF FABRICATING A THIN FILM TRANSISTOR,申请号TW103108528-传众专利搜索

发明名称	薄膜电晶体制造方法;METHOD OF FABRICATING A THIN FILM TRANSISTOR
摘要	本发明一般有关于薄膜电晶体(TFT)及薄膜电晶体之制造方法。当复数层系使用于TFT的半导体材料时，可能导致负临界电压(Vth)偏移。藉由将半导体层暴露至含氧(oxygen containing)电浆及/或形成一蚀刻终止层(etch stop layer)在其上，可抵消(negate)负Vth偏移。
申请公布号	TW201508837	申请公布日期	2015.03.01
申请号	TW103108528	申请日期	2014.03.12
申请人	应用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	任东吉 YIM, DONG-KIL;林　罗德尼顺里翁 LIM, RODNEY SHUNLEONG;席尔　艾芙琳 SCHEER, EVELYN;元　泰景 WON, TAE KYUNG;崔寿永 CHOI, SOO YOUNG;友　哈维 YOU, HARVEY
分类号	H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01)	主分类号	H01L21/336(2006.01)
代理机构		代理人	祁明辉林素华涂绮玲
主权项
地址	美国 US