Verfahren zur Herstellung polykristalliner, 3D-Strukturen aufweisender Siliziumschichten homogener Dicke

摘要

Bei dem Verfahren zur Herstellung polykristalliner, 3D-Strukturen aufweisender Siliziumschichten homogener Dicke, wobei die 3D-Strukturen eine Höhe von 0 bis 30 µm aufweisen, werden mindestens die folgenden Verfahrensschritte ausgeführt: Einbringen einer beliebigen Struktur im nm-Bereich in ein Substrat oder in eine auf einem Substrat aufgebrachte prägbare Schicht, anschließendes strukturkonformes Aufbringen einer Siliziumschicht mit einer Dicke von 10 nm bis 50 µm auf die strukturierte Oberfläche, darauf Aufbringen einer 10 nm bis 50 µm dicken Deckschicht auf die Siliziumschicht, wobei die Deckschicht einen höheren Schmelzpunkt als die Siliziumschicht aufweist, und abschließendes Kristallisieren der Siliziumschicht mittels Flüssigphasenkristallisation, wobei eine eine Leistungsdichte zwischen 20 W/cm und 200 W/cm aufweisende Elektronenstrahl-Linienquelle mit einer Ziehgeschwindigkeit von bis zu 10 mm/s oder ein Laserstrahl linienförmig über die Siliziumschicht geführt wird.