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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (36) mit zumindest einer funktionellen Schicht oder zur weiteren Verwendung zur Herstellung eines elektronischen oder opto-elektronischen Bauelements (40, 42, 44). Der Verbundkörper (36) ist als Schichtstruktur ausgebildet und beinhaltet zumindest ein als Platte ausgebildetes Substrat (34) mit zumindest einer ebenen Substratoberfläche und zumindest eine im Wesentlichen polykristalline oder zumindest eine im Wesentlichen einkristalline Schicht (38), die zumindest einen Verbindungshalbleiter, einen keramischen Werkstoff oder einen metallischen Hartstoff umfasst. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Erwärmung zumindest eines Teils der ebenen Substratoberfläche auf eine Temperatur von mindestens 100°C und höchstens 550°C; – Reinigen der Substratoberfläche durch Zuführen von Wasserstoff aus einer ersten Materialquelle (20) und einem eigens dafür hergestellten Plasma; – Terminieren der Substratoberfläche durch Aufbringen von Kohlenstoff, Stickstoff oder Sauerstoff aus der ersten Materialquelle (20) oder einer zweiten Materialquelle (22) und einem eigens dafür hergestellten Plasma; und – Aufwachsen der zumindest einen Schicht (38) durch Zuführen von Materialkomponenten des Verbindungshalbleiters, des keramischen Werkstoffs oder des metallischen Hartstoffs aus der ersten Materialquelle (20) und der zweiten Materialquelle (22) zu der zumindest einen ebenen Substratoberfläche. Die Erfindung betrifft ferner eine Verwendung des nach einer der offenbarten Ausführungsformen des Verfahrens oder einer Kombination davon hergestellten Verbundkörpers (36) zur Herstellung eines elektronischen oder opto-elektronischen Bauelements. |
