用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法

摘要

用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法，具有步骤：提供半导体晶片，将第一光刻胶层涂布到半导体晶片上，提供具有掩膜元件的掩膜，将掩膜布置在第一位置处，曝光第一光刻胶层并且将掩膜成像在第一光刻胶层中，将掩膜布置在第二位置处，重新曝光第一光刻胶层并且将掩膜成像在第一光刻胶层中，或将第二光刻胶层涂布到第一光刻胶层上，将掩膜布置在第二位置处并且曝光第二光刻胶层并且将掩膜成像在第二光刻胶层中，构造结构化的光刻胶层并且借助结构化的光刻胶层来结构化半导体晶片，其中多个结构元件被构造在半导体晶片上，并且在结构元件之间的最大间隔比掩膜元件之间的最大间隔小，将半导体晶片分离成多个分别具有结构的半导体器件。

主权项

用于在发射辐射的半导体器件（10）中制造结构（1）的光刻方法，具有以下步骤：－提供半导体晶片（6），所述半导体晶片具有用于构成发射辐射的半导体器件（10）的半导体层序列（8），－将第一光刻胶层（5）涂布到所述半导体晶片（6）上，－提供具有多个掩膜元件（4）的掩膜（3），－将所述掩膜（3）相对于被涂层的半导体晶片（6）布置在第一位置处，－曝光所述第一光刻胶层（5）并且将所述掩膜（3）成像在所述第一光刻胶层（5）中，－将所述掩膜（3）或另外的掩膜相对于半导体晶片（6）布置在与所述第一位置不同的第二位置处，重新曝光所述第一光刻胶层（5）并且将所述掩膜（3）成像在所述第一光刻胶层（5）中，或－将第二光刻胶层涂布到所述第一光刻胶层（5）上，将所述掩膜（3）或另外的掩膜相对于半导体晶片（6）布置在与所述第一位置不同的第二位置处并且曝光所述第二光刻胶层并且将所述掩膜（3）成像在所述第二光刻胶层中，－构造结构化的光刻胶层（5）并且借助所述结构化的光刻胶层（5）来结构化所述半导体晶片（6），其中多个结构元件（2、2a、2b）被构造在所述半导体晶片（6）上，并且其中在所述结构元件（2）之间的最大间隔（a）比掩膜元件（4）之间的最大间隔（a′、a1）小，－将所述半导体晶片（6）分离成多个发射辐射的半导体器件（10），所述半导体器件分别具有包括多个结构元件（2、2a、2b）的结构（1）。