| 发明名称 | 图案形成方法和基板处理系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN104380440A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201380030754.5 | 申请日期 | 2013.07.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 久保田和宏;清水隆吉 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种图案形成方法，其特征在于，包括：利用从包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；和利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，将使用硅化合物气体吸附在所述规定图案的表面而成的层氧化或者氮化，在所述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||