发明名称 |
晶片衬底结合结构、发光器件和用于制造发光器件的方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶片衬底结合结构、发光器件和用于制造发光器件的方法。可以设置一种晶片衬底结合结构,其包括:第一衬底;以及导电薄膜,该导电薄膜设置在第一衬底上并且包括树脂以及在树脂中包括的导电微粒。 |
申请公布号 |
CN102544274B |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201110392382.3 |
申请日期 |
2011.12.01 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
赵范哲 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种晶片衬底结合结构,包括:第一衬底;导电薄膜,所述导电薄膜设置在所述第一衬底上并且包括树脂和分布在所述树脂的表面上的导电微粒;第二衬底,所述第二衬底设置在所述导电薄膜上,并且所述第二衬底是在所述第二衬底上形成器件结构的预定衬底,或者是作为器件结构的一部分的且具有与所述第一衬底的热膨胀系数不同的热膨胀系数的衬底,以及第一金属层,所述第一金属层形成在所述第一衬底和所述导电薄膜之间。 |
地址 |
韩国首尔 |