分栅闪存单元及其形成方法

摘要

一种分栅闪存单元及其形成方法，所述分栅闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线多晶硅层；位于与源线多晶硅层正对的半导体衬底内的源极；依次位于源线多晶硅层两侧的半导体衬底表面的耦合氧化层、浮栅；电隔离所述源线多晶硅层与耦合氧化层、浮栅的侧墙介质层；位于所述浮栅远离所述源线多晶硅层的侧壁的耦合氧化层；位于所述耦合氧化层远离源线多晶硅层的一侧的半导体衬底表面的外延层；位于所述外延层表面和侧墙介质层远离源线多晶硅层的侧壁的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线多晶硅层；位于字线多晶硅层远离浮栅一侧的外延层和半导体衬底内的漏极。本发明可以提高分栅闪存单元的编程效率，并有利于小型化。

主权项

一种分栅闪存单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有源线多晶硅层，以及依次位于所述源线多晶硅层两侧半导体衬底表面的耦合氧化层和浮栅，位于所述浮栅表面，且隔离所述浮栅和源线多晶硅层的侧墙介质层，所述半导体衬底内形成有与所述源线多晶硅层正对的源极；在所述侧墙介质层远离源线多晶硅层一侧的半导体衬底表面形成外延层；在所述外延层表面和侧墙介质层的侧壁形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层的表面形成字线多晶硅层；形成覆盖所述字线多晶硅层侧壁的字线侧墙，在所述字线侧墙远离浮栅一侧的外延层和半导体衬底内形成漏极。