发明名称 半導体装置の製造方法及び半導体装置
摘要 <p>半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板の厚み方向に貫通する、電極用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記電極用貫通孔に導電性材料を供給して、貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記回路には接続されて、前記貫通電極には接続されておらず、少なくとも一部が前記基板の表面に露出している配線を形成する工程と、前記回路の電気的試験の結果、不良品と判定された不良品回路においては、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続せず、前記回路の電気的試験の結果、良品と判定された良品回路においては、導電性材料で接合することにより、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続する選択的接続工程と、前記貫通電極及び前記配線が形成された基板を複数積層する積層工程と、を有する。</p>
申请公布号 JPWO2012173238(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130520604 申请日期 2012.06.15
申请人 发明人
分类号 H01L25/065;H01L21/3205;H01L21/66;H01L21/768;H01L21/82;H01L21/822;H01L23/522;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/04;H01L27/10 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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