フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス

摘要

表面に水酸基を有する支持体１の上に所定の溶液を塗布・焼成して剥離層２を形成し、前記剥離層２の上にフレキシブル基板３、デバイス４を形成し、前記支持体１と前記剥離層２との間を境に、前記支持体１から、前記剥離層２、前記フレキシブル基板３及び前記デバイス４を剥離して、フレキシブルデバイス５を製造する方法において、前記所定の溶液中のアルキルシランアルコキシド誘導体に含まれるシリコン原子数とチタンアルコキシド誘導体に含まれるチタン原子数との比を、前記第２工程における焼成温度が２００℃以上２７０℃未満の場合、３．３〜４．１：１とし、前記焼成温度が２７０℃以上３３０℃以下の場合、前記比を、３．３〜２３：１とし、前記焼成温度が３３０℃を超え〜３５０℃以下の場合、前記比を、１９〜２３：１とする。