Verfahren für die Ausbildung eines Halbleiterbauteils

摘要

Verfahren für die Ausbildung eines Halbleiterbauteils (600), wobei das Verfahren aufweist: Empfangen eines Substrates (102), wobei das Substrat (102) einen Halbleiter (604) enthält; Vorbereiten einer Oberfläche (112) des Substrates (102); Ausbilden einer Abschlussschicht (502) auf dem Halbleiter (604) an der Oberfläche (112) des Substrates (102); und Abscheiden einer dielektrischen Schicht (106) über der Abschlussschicht, wobei das Abscheiden der dielektrischen Schicht (106) darauf ausgelegt ist, die Abschlussschicht (502) nicht zu unterbrechen, wozu das Abscheiden der dielektrischen Schicht (106) bei einer Temperatur von weniger als oder bei 300°C durchgeführt wird.