发明名称 |
监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法 |
摘要 |
本发明公开了监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法,其中监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法包括:测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率,根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。本发明利用多晶硅的透光率这一比较稳定的特性作为热退火活化效果好坏的评价标准,通过将透光率与预设值进行比较得到热退火的活化效果,这样可以保证监测热退火活化效果过程的稳定性和可靠性,使得工艺人员能够及时有效地控制在线工艺,同时缩短监测过程的周期,而且测量透光率比进行电学特性测试还能大大降低监测成本。 |
申请公布号 |
CN104362109A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201410593840.3 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
赵冬;刘瀚嵘;田震东;刘欢 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李相雨 |
主权项 |
一种监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法,其特征在于,包括:测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率,根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |