LED搭载用晶片及其制造方法、以及使用该晶片的LED搭载结构体

摘要

本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。

主权项

一种LED搭载用晶片(6)，其特征在于，由金属浸渗陶瓷复合体(61)及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体是使含有选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石及石墨中的一种以上且气孔率为10‑50体积％的多孔体或粉末成形体中浸渗金属而制造的，板厚为0.05‑0.5mm，表面粗糙度Ra为0.01‑0.5μm，三点弯曲强度为50MPa以上，温度25℃的热导率为150‑500W/mK，温度25℃‑150℃的线性热膨胀系数为4‑9×10^‑6/K，体积电阻率为10^‑9‑10^‑5Ω·m，保护层是由选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Ti、W及Mo中的一种以上的金属、或者是由气孔率为3％以下的选自氧化铝、富铝红柱石、氮化铝及氮化硅中的一种以上的陶瓷构成，保护层的厚度大于0且为3mm以下，保护层的体积占有率大于0且为20体积％以下。