发明名称 |
ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法 |
摘要 |
本发明涉及ZnS纳米晶半导体前驱体薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法,电解液含有摩尔比为(15-20):(15-25):(0.2-0.8):(0.3<u>+</u>0.1)的Zn<sup>2+</sup>,S<sub>2</sub>O<sub>3</sub><sup>2-</sup>,表面活性剂、SO<sub>3</sub><sup>2-</sup>,并含有氯化锂,电解液的pH值介于2.5-4.5之间;然后利用恒电流法或恒电位法,实现Zn、S二元素的共析结晶,生成纯净的六方相或立方相结构的ZnS前驱体薄膜。而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温一段时间,均得到纯净的高取向性的结晶性更好的立方相ZnS纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强,重复性好,所制备的ZnS纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池的窗口层材料。 |
申请公布号 |
CN102864475B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201210339949.5 |
申请日期 |
2012.09.14 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
王峰;徐新花;李志林;刘景军;吉静 |
分类号 |
C25D9/04(2006.01)I;C25D9/08(2006.01)I;C25D5/50(2006.01)I |
主分类号 |
C25D9/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京五月天专利商标代理有限公司 11294 |
代理人 |
梁庆丰 |
主权项 |
ZnS纳米晶半导体前躯体薄膜的电化学制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配制电解液:所述的电解液含有摩尔比为(15‑20):(15‑25):(0.2‑0.8):(0.3<u>+</u>0.1)的Zn<sup>2+</sup>,S<sub>2</sub>O<sub>3</sub><sup>2‑</sup>,表面活性剂、SO<sub>3</sub><sup>2‑</sup>,并含有氯化锂(LiCl),电解液的pH值介于2.5‑4.5之间;(2)在步骤(1)配制好的溶液中利用恒电流或者恒电位沉积技术电沉积制备ZnS前驱体薄膜,恒电流的电流密度在8‑12 mA·cm<sup>‑2</sup>之间,电沉积的温度控制在20‑50℃之间;恒电位的电位控制在相对于饱和甘汞电极‑1.0 <u>+</u> 0.1V之间,电沉积的温度控制在20‑50℃之间;所述的表面活性剂为磺基水杨酸。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |