CMOS半导体器件的金属栅极结构

摘要

本发明关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，P-金属栅电极延伸到隔离区域的上方；和在N-有源区域上方具有第一宽度的N-金属栅电极，N-金属栅电极延伸到隔离区域的上方并且在隔离区域中具有与P-金属栅电极电接触的接触段，其中接触段具有比第一宽度大的第二宽度。

主权项

一种CMOS半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括P‑有源区域，N‑有源区域，和介于所述P‑有源区域和所述N‑有源区域之间的隔离区域；在所述P‑有源区域上方的P‑金属栅电极，所述P‑金属栅电极延伸到所述隔离区域的上方；以及在所述N‑有源区域上方具有第一宽度的N‑金属栅电极，所述N‑金属栅电极延伸到所述隔离区域的上方并且具有在所述隔离区域中的接触段，所述接触段电接触所述P‑金属栅电极，其中所述接触段具有大于所述第一宽度的第二宽度；所述N‑金属栅电极包括N‑功‑函数金属层，其中，与邻近所述N‑有源区域的所述N‑功‑函数金属层的底部角落部分相比，邻近所述接触段的所述N‑功‑函数金属层的底部角落部分具有更厚的厚度；其中，所述N‑金属栅电极进一步包括N‑信号金属层，其中，所述N‑信号金属层位于所述N‑功‑函数金属层的上方，并且，所述接触段使所述N‑信号金属层与所述P‑金属栅电极相隔离。