| 发明名称 | 采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体，制备方法包括：将CaMoO<sub>4</sub>密封于坩埚进行坩埚下降法生长，得到钼酸钙晶体，其中，采用坩埚下降法生长时，晶体生长温度为1400~1520℃，晶体生长时坩埚下降速度为0.05~2mm/小时，降温速率为≤2℃/小时。 | ||
| 申请公布号 | CN104357911A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410742436.8 | 申请日期 | 2014.12.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 潘尚可;陈晓峰;李换英;张卫东;刘玮;任国浩 |
| 分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种钼酸钙晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将CaMoO<sub>4</sub>密封于坩埚进行坩埚下降法生长，得到钼酸钙晶体，其中，采用坩埚下降法生长时，晶体生长温度为1400‑1520℃，晶体生长时坩埚下降速度为0.05‑2mm/小时，降温速率为≤2℃/小时。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||