发明名称 |
用于半导体制造之内部电浆格栅应用;INTERNAL PLASMA GRID APPLICATIONS FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION |
摘要 |
本文中的实施例系关于蚀刻半导体基板的改良方法与设备。一电浆格栅组件系设置于一反应室中以将该反应室分隔为上子室与下子室。该电浆格栅组件可包含一或多个具有特定高宽比之复数槽口的电浆格栅,该等槽口能让特定物种自上子室行进至下子室。在某些情况下,在上子室中产生电子-离子电浆。成功通过格栅而到达下子室的电子会在其通过格栅时而变冷。在某些情况下,这导致下子室中的离子-离子电浆。离子-离子电浆可用以加惠于各种蚀刻处理。 |
申请公布号 |
TW201507022 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
申请号 |
TW103112372 |
申请日期 |
2014.04.02 |
申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
派特森 艾立克斯;金杜永;卡麦希 葛瑞;德尔 普伯 海伦;余人侃;堤图司 莫妮卡;马尼 拉喜卡;孙 诺埃尔 睿;加尼 尼古拉斯;木村启惠;锺定颖 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
主权项 |
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地址 |
美国 |