自旋转移力矩磁阻随机存取存储器内的位线电压控制

摘要

本发明揭示一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)和相关联的读取操作。位单元包括磁性隧道结(MTJ)和字线晶体管，所述位单元耦合到位线和源极线。箝位电路耦合到所述位线，且经配置以在所述STT-MRAM的读取操作期间将所述位线电压箝位到所要电压电平，以防止所述位线电压超过所述所要电压电平。所述所要电压电平小于与所述STT-MRAM的写入操作相关联的写入电压阈值。

主权项

一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM，其包含：位单元，其具有磁性隧道结MTJ和字线晶体管，所述位单元耦合到位线和源极线；箝位电路，其耦合到所述位线，所述箝位电路经配置以在所述STT‑MRAM的读取操作期间将所述位线电压箝位到所要电压电平，以防止所述位线电压超过所述所要电压电平，其中所述所要电压电平小于与所述STT‑MRAM的写入操作相关联的写入电压阈值；以及读取隔离元件，其介于所述位单元与所述箝位电路之间，所述隔离元件经配置以在写入操作期间选择性地隔离所述箝位电路与所述位线。