| 发明名称 | 双重图形结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种双重图形结构及其形成方法，所述双重图形结构的形成方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成应力层；在所述应力层上形成具有若干开口的牺牲层，所述开口暴露出部分应力层的表面；在所述应力层和牺牲层表面形成侧墙材料层；在所述侧墙材料层表面形成填充满所述开口的介质层；以所述牺牲层为停止层，对所述介质层进行平坦化，暴露出牺牲层的顶部表面；去除所述牺牲层和介质层；刻蚀所述应力层，在所述应力层内形成贯穿所述应力层的凹槽。采用上述方法形成的双重图形结构不会发生形变。 | ||
| 申请公布号 | CN104347360A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310315127.8 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;何其暘;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种双重图形结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成应力层；在所述应力层上形成具有若干开口的牺牲层，所述开口暴露出部分应力层的表面；在所述应力层和牺牲层表面形成侧墙材料层；在所述侧墙材料层表面形成填充满所述开口的介质层；以所述牺牲层为停止层，对所述介质层进行平坦化，暴露出牺牲层的顶部表面；去除所述牺牲层和介质层；以所述侧墙材料层为掩膜，刻蚀所述应力层，形成贯穿所述应力层的凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||