使用漂浮导体的HV半导体器件

摘要

器件包括在半导体衬底中的第一和第二重掺杂区域。至少一部分绝缘区域在半导体衬底中，其中该绝缘区域邻近第一和第二重掺杂区域。栅极绝缘层形成在半导体衬底的上方并且一部分栅极绝缘层位于一部分绝缘区域的上方。栅极形成在栅极绝缘层上方。漂浮导体位于绝缘区域上方并且与绝缘区域垂直地重叠。金属线包括位于漂浮导体上方的并且与漂浮导体垂直地重叠的一部分，其中金属线与第二重掺杂区域连接并且传输第二重掺杂区域的电压。本发明还提供了使用漂浮导体的HV互连解决方案。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中的第一重掺杂区域和第二重掺杂区域，其中，所述第一重掺杂区域和所述第二重掺杂区域是各个高压MOS器件的源极和漏极；绝缘区域，至少一部分所述绝缘区域位于所述半导体衬底中，其中所述绝缘区域邻近所述第一重掺杂区域和所述第二重掺杂区域；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述半导体衬底上方并且包括位于一部分所述绝缘区域上方的部分；栅极，位于所述栅极绝缘层上方；漂浮导体，所述漂浮导体位于所述绝缘区域的上方并且与所述绝缘区域垂直地重叠，其中，所述漂浮导体包括漂浮金属线和漂浮多晶线，且漏极通过连接至漂浮金属线并进一步连接至漂浮多晶线；以及金属线，所述金属线包括位于所述漂浮导体上方并且与所述漂浮导体垂直地重叠的部分，其中所述金属线与所述第二重掺杂区域连接并且承载所述第二重掺杂区域的电压。