| 主权项 |
1.一种积体电路晶圆,包括:具有第一及第二部分之基材;在该第一部份上之第一绝缘体;在该第二部分上之第二绝缘体,其中该第一绝缘体具有与该第二绝缘体不同之散热特性;及在该第一绝缘体及第二绝缘体上之矽薄膜。2.如申请专利范围第1项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体具有不同于该第二绝缘体之介电常数。3.如申请专利范围第1项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之散热且该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之介电常数,及其中该基材包含在该第一绝缘体上之第一装置及在该第二绝缘体上之第二装置,该第一装置比该第二装置产生更多之热,及该第二装置比该第一装置需要更高之电气介电常数。4.如申请专利范围第1项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体及该第二绝缘体彼此相邻并形成单一平坦表面,其间置有矽薄膜。5.如申请专利范围第1项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该矽薄膜。6.如申请专利范围第1项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该基材。7.一种形成积体电路晶圆之方法,包括形成具有第一及第二部分之基材;在该基材上沉积第一绝缘体;对该第一绝缘体布型使第一绝缘体仅留在该第一部份;在该基材上沉积第二绝缘体,其中该第一绝缘体与该第二绝缘体具有不同之散热特性;抛光该第二绝缘体而形成平坦表面;及在该第一绝缘体及第二绝缘体上附着矽薄膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一绝缘体具有不同于该第二绝缘体之介电常数。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之散热且该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之介电常数,及该方法又包括在该第一绝缘体上之该矽薄膜上形成第一装置及该第二绝缘体上之该矽薄膜上形成第二装置,其中该第一装置比该第二装置产生更多之热,及该第二装置比该第一装置需要更高之电气介电常数。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一绝缘体予以布型使该第一绝缘体与该第二绝缘体形成彼此相邻且该抛光形成单一平坦表面,其间置有矽薄膜。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一绝缘体予以布型使该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该矽薄膜。12.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一绝缘体予以布型使该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该基材。13.一种积体电路晶圆,包括:具有第一及第二部分之基材;在该第一部份上之第一绝缘体;在该第二部分上之第二绝缘体,其中该第一绝缘体具有与该第二绝缘体不同之介电常数;及在该第一绝缘体及第二绝缘体上之矽薄膜。14.如申请专利范围第13项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体具有不同于该第二绝缘体之散热特性。15.如申请专利范围第13项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之散热且该第一绝缘体具有比该第二绝缘体高之介电常数,及其中该基材包含在该第一绝缘体上之第一装置及在该第二绝缘体上之第二装置,该第一装置比该第二装置产生更多之热,及该第二装置比该第一装置需要更高之电气介电常数。16.如申请专利范围第13项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体及该第二绝缘体彼此相邻并形成第一平坦表面,其间置有矽薄膜。17.如申请专利范围第13项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该矽薄膜。18.如申请专利范围第13项之积体电路晶圆,其中该第一绝缘体置于该第二绝缘体内相邻该基材。图式简单说明:图1为本发明积体电路晶圆之剖视图之图示;图2为本发明积体电路晶圆之剖视图之图示;图3为本发明积体电路晶圆之剖视图之图示; 及图4为本发明积体电路晶圆之剖视图之图示。 |
