发明名称 一种湿法刻蚀装置
摘要 本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀装置,具有:半导体加工件衬底、处理腔、衬底承载单元、刻蚀液体、喷淋单元、驱动装置、刻蚀液体供应单元、刻蚀液体排出单元、生成电极腔和回收电极腔。本发明提供的湿法刻蚀装置可以原位再生刻蚀液体中的高价位金属阳离子与回收铜离子,实现刻蚀液体循环使用,更为环保,同时降低了耗材成本。所述湿法刻蚀装置还可以对所述刻蚀液体施加声波能量,加快刻蚀速度,提高产出率。
申请公布号 CN104347394A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310326653.4 申请日期 2013.07.30
申请人 马悦;何川;施广涛;黄允文;顾岩;阳诗友 发明人 马悦;何川;施广涛;黄允文;顾岩;阳诗友
分类号 H01L21/3213(2006.01)I 主分类号 H01L21/3213(2006.01)I
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人 苏培华
主权项 一种湿法刻蚀装置,具有:半导体加工件衬底,所述半导体加工件衬底具有待刻蚀面;处理腔,所述处理腔内具有衬底承载单元,所述衬底承载单元承载所述半导体加工件衬底;刻蚀液体;喷淋单元,所述喷淋单元具有至少一个刻蚀液体出口,所述喷淋单元与所述待刻蚀面相对而置,所述喷淋单元喷淋所述刻蚀液体至所述待刻蚀面;驱动装置,所述驱动装置用以实现所述衬底承载单元与所述喷淋单元间的相对运动;刻蚀液体供应单元,所述刻蚀液体供应单元供应所述刻蚀液体至所述喷淋单元;刻蚀液体排出单元,所述刻蚀液体排出单元排出离开所述待刻蚀面的刻蚀液体至所述处理腔外;其特征在于:所述待刻蚀面为金属覆膜面;且所述装置还具有:生成电极腔,所述生成电极腔内具有生成电极且与所述刻蚀液体供应单元连接;回收电极腔,所述回收电极腔内具有回收电极且与所述刻蚀液体排出单元连接;所述生成电极与所述回收电极与一外接电源连接;所述外电源具有电势控制单元,用以控制所述生成电极与所述回收电极的电势;所述刻蚀液体具有至少一种金属阳离子,所述金属阳离子与所述金属覆膜面产生置换反应。
地址 美国华盛顿州温哥华市东南189大道3924号