半导体元件及其制法

主权项

一种半导体元件之制法，包括：形成一界面氧化层于一半导体基材之上，其中形成该界面氧化层包括对该界面氧化层进行一湿式清洁制程，以使该半导体基材之表面上具有氢原子；形成一缓冲层直接位于该界面氧化层之上；以及形成一高介电常数层直接位于该缓冲层之上。