| 发明名称 | 包括磁致伸缩材料的光学元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。 | ||
| 申请公布号 | CN104335122A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201380028021.8 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | P.休伯;O.迪尔 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G02B26/08(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I;G02B17/06(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 光学元件(21)，包括：基板(30)；反射涂层(31)；以及包含磁致伸缩材料的至少一个活性层(34,34a,34b)，其中，尤其对于EUV辐射的反射，所述反射涂层(31)包括多个层对(32)，所述多个层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料构成的交替层(33a,33b)，其中，所述至少一个活性层(34)形成在所述反射涂层(31)内。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||