| 发明名称 | 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104332537A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410551529.2 | 申请日期 | 2014.10.17 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发明人 | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/28(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人 | 廖吉保;唐绍烈 |
| 主权项 | 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；其特征在于：第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||