发明名称 WC合金的三维定向制备方法
摘要 本发明公开了WC合金的三维定向制备方法,目的在于解决目前采用模版晶粒生长法制备WC合金,使WC晶粒的一个方向定向排列,而晶粒的其他两个方向处于随意排列的状态,无法制备具有优良各项异性的类单晶多晶WC合金的问题。本发明依次制备出板状碳化钨单晶颗粒、悬浊液,然后利用真空负压排出悬浊液中的气体;再通过磁场定向在x方向定向晶粒,采用模版晶粒生长方法在z方向定向晶粒;当x和z都能很好的定向晶粒后,y方向自然固定归一,实现三维织构;最后将得到的胚体通过烧结致密,得到三维定向的WC合金。本发明成功的实现了对WC的3-D织构,并且具有工艺流程简单,操作方便等优点,具有广阔的市场应用前景。
申请公布号 CN104328489A 申请公布日期 2015.02.04
申请号 CN201410539942.7 申请日期 2014.10.14
申请人 中国工程物理研究院流体物理研究所 发明人 高志鹏;谢庆海;刘雨生;刘高旻;张福平;贺红亮
分类号 C30B28/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I 主分类号 C30B28/02(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 徐宏;吴彦峰
主权项 WC合金的三维定向制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备板状碳化钨单晶颗粒;(2)将步骤1的板状碳化钨单晶颗粒与WC粉末混合,板状碳化钨单晶颗粒与WC粉末的质量比为1:1,得物料一;(3)向物料一中加入聚乙烯醇溶液,并调节pH值至9‑11,聚乙烯醇溶液的加入量以形成悬浊液为准,得悬浊液;(4)将步骤3得到的悬浊液置于真空箱内,在真空条件下静置,排出悬浊液中的气体;(5)将步骤4中排出气体后的悬浊液置于4‑8 T磁场的磁场中静置18 ‑ 24小时,直至悬浊液中的粉末沉淀,形成胚体;(6)将步骤5中得到的胚体放入真空高温炉内,在1500–1600℃下烧结,得到织构化的WC合金。
地址 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号流体物理研究所