半导体晶圆及半导体装置

主权项

一种半导体晶圆，具备：多层膜，具有交互积层有未掺杂之第1氮化物半导体层与格子常数较该第1氮化物半导体层大之未掺杂之第2氮化物半导体层之构造；以及未掺杂之第3氮化物半导体层，配置在该多层膜上，格子常数较该第1氮化物半导体层大；在该第3氮化物半导体层之上方及下方分别配置有该多层膜；在膜厚方向具有导电性。