发明名称 包含紧密间距接点的半导体结构及其形成方法
摘要
申请公布号 TWI471905 申请公布日期 2015.02.01
申请号 TW097129387 申请日期 2008.08.01
申请人 美光科技公司 发明人 卢安C 崔恩
分类号 H01L21/027;H01L21/3213 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体结构,其包含复数条紧密间距导线,每一紧密间距导线与复数个紧密间距导电接点中之一导电接点系一体式形成,其中该复数个紧密间距导电接点中之每一紧密间距导电接点延伸穿过位于一光罩层中之一共同孔洞。
地址 美国