发明名称 AC voltage amplifier circuitry with several semiconductor amplifier elements operating in the gate (base) circuit.
摘要 In einer Halbleiterverstärkerschaltung mit umschaltbarer Verstärkungsrichtung sind parallel zueinander wenigstens zwei Halbleiterverstärkerelemente (TV, TL) vorgesehen, von denen das eine Halbleiterverstärkerelement (TV) in beiden Verstärkungsrichtungen wirksam sein kann, während das andere Halbleiterverstärkelement (TL) und gegebenenfalls weitere Halbleiterverstärkerelemente jeweils bei Umschalturig der Verstärkungsrichtung zu- bzw. abschaltbar ist (sind). Zumindest das genannte eine Halbleiterverstärkerelement (TV) ist durch einen Feldeffekttransistor gebildet; das andere Halbleiterverstärkerelement (TL) und gegebenenfalls auch die weiteren Halbleiterverstärkerelemente können auch durch bipolare Transistoren gebildet sein. Die Transistoren können auf einem Chip integriert oder in einem gemeinsamen Gehäuse zusammengefaßt sein. Die Verstärkerschaltung kann in der einen Richtung (B-A) als Leistungsverstärker, in der anderen Richtung (A-B) als Eingangsverstärker dienen. Mehrere Verstärkerschaltungen können zu einem mehrstufigen Verstärker verbunden sein. Zur Betriebswiderstandsanpassung können Anpassungsvierpole (VP) vorgesehen sein. Ein im momentanen Betriebszustand nicht benötigter Verstärkerzweig kann von dem in Betrieb befindlichen Verstärkerzweig abgeriegelt sein; die beiden Schaltungszweige können auch durch eine Frequenzweiche zusammengeführt sein.
申请公布号 EP0018571(A1) 申请公布日期 1980.11.12
申请号 EP19800102139 申请日期 1980.04.21
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 RITTER, GERHARD, DIPL.-ING.
分类号 H03F3/62;(IPC1-7):H03F3/62;H03F3/19 主分类号 H03F3/62
代理机构 代理人
主权项
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