发明名称 |
背面探测式光子辐射显微镜装置及测试方法 |
摘要 |
本发明提供一种背面探测式光子辐射显微镜装置及其测试方法,所述装置包括:探针座,其上表面用于支撑探针座,所述探针座的一端与探针臂的一端相连接,所述探针臂的另一端与探针的一端相连接;样品台,悬置于所述探针座上方,所述样品台朝向所述探针座一侧的表面用于放置半导体芯片,所述半导体芯片的所述金属互连层与探针的针尖相接触;若干光学透镜,间隔设置于样品台和探针台的下方,用于光学聚焦,所述光学透镜与所述样品台、探针座、探针臂和探针之间具有安全工作距离;多个探测器,位于所述光学透镜下方,用于缺陷定位和分析。本发明提供的背面探测式光子辐射显微镜装置及及其测试方法,能够从半导体芯片正面进行分析。 |
申请公布号 |
CN104316856A |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201410597388.8 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
唐涌耀 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种背面探测式光子辐射显微镜装置,包括:探针座,具有上表面,所述上表面用于支撑探针座,所述探针座的一端与探针臂的一端相连接,所述探针臂的另一端与探针的一端相连接;样品台,悬置于所述探针座上方,所述样品台朝向所述探针座一侧的表面用于放置半导体芯片,所述半导体芯片具有半导体衬底和位于半导体衬底上的金属互连层,所述半导体芯片正面向下固定于样品台,所述金属互连层与探针的针尖相接触;若干光学透镜,间隔设置于样品台和探针台的下方,用于光学聚焦,所述光学透镜与所述样品台、探针座、探针臂和探针之间具有安全工作距离;多个探测器,位于所述光学透镜下方,用于对所述金属互连层进行进行缺陷定位和分析。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |