边发射半导体激光器

摘要

提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。

主权项

具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中‑所述波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和设置在所述第一波导层(2A)和所述第二波导层(2B)之间的、用于产生激光辐射的有源层(3)，‑所述波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿所述半导体本体(10)的生长方向在所述波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，‑在所述半导体本体(10)中，构成有用于选择由所述有源层(3)发射的所述激光辐射的横模的相结构(6)，其中所述相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从所述半导体本体(10)的上侧(5)延伸到所述第二包层(1B)中，‑由与所述第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到所述第二包层(1B)中，并且‑所述凹槽(7)从所述半导体本体(10)的所述上侧(5)至少部分地延伸至所述第一中间层(11)中，‑所述第二包层(1B)包含邻接所述波导区域(4)的第一子层(1C)和邻接所述第一子层(1C)的第二子层(1D)，其中所述第一子层(1C)具有比所述第二子层(1D)大的折射率，并且‑至少一个所述中间层(11、12)嵌入到所述第二包层(1B)的所述第一子层(1C)中。