显示装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。

主权项

一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，包括：由第一导电膜形成的栅电极；所述栅电极上的由第一绝缘层形成的栅极绝缘膜；所述第一绝缘层上的第一半导体层，其中所述第一半导体层与所述栅电极重叠；所述第一半导体层上的由第二绝缘层形成的沟道保护膜，其中所述沟道保护膜与所述栅电极重叠；以及所述第一半导体层上的源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极由第二导电膜形成，并且所述源电极和所述漏电极电连接至所述第一半导体层；     所述源电极和所述漏电极上形成的第三绝缘层；所述第三绝缘层上的由第三导电膜形成的第一电极，其中所述第一电极通过所述第三绝缘层中形成的接触孔电连接至所述源电极和所述漏电极其中之一；包括所述第一绝缘层上的所述第二导电膜的电容布线；由包括所述电容布线、所述第三绝缘层和所述第一电极的层叠体形成的存储电容器；以及连接区，包括：    由所述第一导电膜形成的布线；以及    由所述第三导电膜形成且与所述源电极和所述漏电极中的另一个和所述布线接触的第二电极。