２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボキサミド、その製造方法および使用

摘要

本願発明は、Ｆ１／２がとりわけｎ価の遊離基（ｎ＞１）であり、該基はｎ−１個の一般式（ＩＩ）で表される２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボキサミド基で更に置換され得る、式（Ｉ）の２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボキサミド、該２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボキサミドの製造方法、上記方法に適した出発物質である、式（ＩＩＩ）で表される２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボン酸の製造方法、および、該２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−カルボキサミドの、（ポリ）ヒドロキシウレタン、（ポリ）ヒドロキシカーボネートおよび（ポリ）ヒドロキシスルファニルホルメートの製造のための、および更にアミンをブロックする末端基としての使用に関する。