发明名称 挠性电路层板
摘要
申请公布号 TW098965 申请公布日期 1988.05.01
申请号 TW074102829 申请日期 1985.06.28
申请人 罗吉斯公司 发明人 陶迈斯.斯.凯尼兰德;盖齐特.桑姆
分类号 H01B5/14 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.层板线路材料包含:第一层聚 亚胺膜;在所述第一层聚 亚胺膜上的第一层氟聚合物膜;在所述第一层氟聚合物膜上的第一玻璃强化氟聚合物膜2.在请求专利部份第1.项的线路材料包括:安置在所述玻璃强化氟聚合物膜的至少一部份上之第一导电薄片装置。3.在请求专利部份第2.项的线路材料,其中:所述第一导电薄片装置是铜。4.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料,其中:所述第一层氟聚合物膜是氟化乙烯丙烯共聚物。5.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料,其中:所述第一层氟聚合物膜是具有全氟烷氧基侧链之氟碳骨干。6.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料,其中:所述第一层玻璃强化氟聚合物膜是从包含聚四氟乙烯,氟化乙烯丙烯共聚物及具有全氟烷氧基侧链之氟碳骨架之组群中选出之氟聚合物膜。7.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料,其中:所述第一层玻璃强化氟聚合物膜有约4至30重量百分比之玻璃。8.在请求专利部份第7.项的线路材料,其中:所述玻璃是微玻璃。9.在请求专利部份第6.项的线路材料,其中所述第一层玻璃强化氟聚合物膜有约4至30重量百分比之玻璃。10.在请求专利部份第9.项的线路材料,其中所述玻璃是微玻璃。11.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料,其中所述第一层玻璃强化氟聚合膜的厚度约在l至10千分之一寸(mils)之间。12.在请求专利部份第1.或3.项的线路材料包括:置于相同于所述第一层氟聚合物膜之所述第一层聚 亚胺膜的一例之第二层氟聚合物膜。13.在请求专利部份第12.项的线路材料包括:置于所述第二层氟聚合物膜的至少一部份之上的第二导电材料薄片。14.在请求专利部份第13.项的线路材料,其中:所述导电材料是铜。15.在请求专利部份第13.项的线路材料包括:置于所述第二导电材料薄片与所述第二层氟聚合膜之间的第二层玻璃强化氟聚合膜。16.在请求专利部份第3.项的线路材料包括:置于所述第一导电薄片装置相同于所述第一层玻璃强化聚合物模之一侧上的第三层玻璃强化氟聚合物膜;置于所述第二层玻璃强化氟聚合膜上之第三层氟聚合物膜;置于所述第三层氟聚合物膜上之第二层聚醯亚胺膜。17.在请求专利部份第16.项的线路材料包括:置于在所述第一层聚 亚胺膜相同于所述第一层氟聚合物膜之一侧上的第四层氟聚合物膜。18.在请求专利部份第17.项的线路材料包括:置于所述第四层氟聚合物膜的至少一部份上之第三层导电材料薄片。19.在请求专利部份第18.项的线路材料,其中所述导电材料是铜。20.在请求专利部份第18.项的线路材料包括:置于导电材料的所述第三薄片与所述第四层氟聚合物膜之间的第四层玻璃强化氟聚合物膜。21.在请求专利部份第18.项的线路材料包括:置于所述第二层聚 亚胺模相同于所述第三层氟聚合物膜之一侧上的第五层氟聚合物模。22.在请求专利部份第21.项的线路材料包括:置于所述第五层氟聚合物膜的至少一部份上之第五导电材科薄片。23.在请求专利部份第21.项的线路材料,其中所述导电材料是铜。24.在请求专利部份第22.项的线路材料包括:置于第四导电材料薄片及所述第五层氟聚合物膜之间的第5.层玻璃强化氟聚合物膜。
地址 美国
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