发明名称 | 一种总线逻辑电平双向转换电路 | ||
摘要 | 本实用新型属于电子技术领域,尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。一种总线逻辑电平双向转换电路,该转换电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻,第一N沟道MOS管的源极接第一总线,第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源,第一N沟道MOS管的漏极接第二总线,并通过第一电阻接第二总线的第二电源;第二N沟道MOS管的源极接第二总线,第二N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源,第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过第二电阻接第一总线的第一电源,第二N沟道MOS管的漏极和第一N沟道MOS管的源极连接。本实用新型的电路成本低、结构简单,可以双向转换的逻辑电平转换电路。 | ||
申请公布号 | CN204119204U | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
申请号 | CN201420574927.1 | 申请日期 | 2014.09.30 |
申请人 | 杭州天目电力科技有限公司 | 发明人 | 丁文军 |
分类号 | H03K19/0175(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0175(2006.01)I |
代理机构 | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人 | 王从友 |
主权项 | 一种总线逻辑电平双向转换电路,其特征在于:该转换电路包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第一总线(S1)、第二总线(S2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的源极接第一总线(S1),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的栅极接第一总线(S1)的第一电源(VL),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的漏极接第二总线(S2),并通过所述的第一电阻(R1)接第二总线(S2)的第二电源(VH);所述的第二N沟道MOS管(Q2)的源极接第二总线(S2),第二N沟道MOS管(Q2)的栅极接第二总线(S2)的第二电源(VH),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极接第一总线(S1)并通过所述的第二电阻(R2)接第一总线(S1)的第一电源(VL),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极和第一N沟道MOS管(Q1)的源极连接。 | ||
地址 | 311300 浙江省杭州市临安市江南路118号 |