一种铌酸钾钠基多层陶瓷电容器介质材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种铌酸钾钠基多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，先将K₂CO₃、Na₂CO₃、Nb₂O₅、Bi₂O₃、ZnO、ZrO₂按(1-x)(K_0.5Na_0.5)NbO₃–xBi(Zn_0.5Zr_0.5)O₃的化学计量比配料，其中，x为0.01～0.1，经球磨、煅烧后制得粉料；再经球磨、烘干、造粒后压制成生坯；生坯于1080～1200℃烧结，烧渗制备电极，制得超宽温低损耗陶瓷电容器介质材料。本发明工作温度为100℃～450℃，电容量变化率＜±15％，介电常数＞2000，烧结温度低，且成本较低，制备工艺简单，具有良好的应用前景。

主权项

一种铌酸钾钠基多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，具体步骤如下：(1)将K₂CO₃、Na₂CO₃、Nb₂O₅、Bi₂O₃、ZnO、ZrO₂按(1‑x)(K_0.5Na_0.5)NbO₃–xBi(Zn_0.5Zr_0.5)O₃的化学计量比配料，其中，x为0.01～0.1，与去离子水混合球磨24h后烘干，于950℃煅烧，制得粉料；(2)将步骤(1)制得的粉料与去离子水混合球磨9h后烘干；(3)将烘干后的原料外加质量百分比为7％的石蜡造粒，然后过1000孔/cm²分样筛，压制成生坯；(4)将步骤(3)压制的生坯经3.5h升温至550℃排蜡，再经1～5h升温至1080～1200℃烧结，保温1～5h；(5)将步骤(4)所得制品上下表面均匀涂覆银浆，经750℃烧渗制备电极，制得超宽温低损耗陶瓷电容器介质；(6)测试该陶瓷电容器介质的介电性能。