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发明名称
POWER MOS TRANSISTOR WITH OVERCURRENT PREVENTING FUNCTION
摘要
申请公布号
JPH03238869(A)
申请公布日期
1991.10.24
申请号
JP19900035376
申请日期
1990.02.15
申请人
NEC CORP
发明人
NAKAGO MANABU
分类号
H01L29/78;H01L27/04;H03K17/08
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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