发明名称 带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板
摘要 本发明的带有透明电极的基板(100)在透明膜基板(1)的至少一面依次具有:以SiO<sub>x</sub>为主要成分的第一电介质层(21)、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层(22)、以SiO<sub>y</sub>为主要成分的第三电介质层(23)、及透明电极层(4)。透明电极层(4)被图案化为电极层形成部(4a)与电极层非形成部(4b)。透明电极层(4)是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm~35nm的层。上述第一电介质层的折射率n<sub>1</sub>、上述第二电介质层的折射率n<sub>2</sub>、及上述第三电介质层的折射率n<sub>3</sub>满足n<sub>3</sub><n<sub>1</sub><n<sub>2</sub>的关系。第一电介质层(21)、第二电介质层(22)及第三电介质层(23)具有规定的膜厚。
申请公布号 CN103443748B 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201180069501.X 申请日期 2011.11.11
申请人 株式会社钟化 发明人 上田拓明;藤本贵久;近藤晃三;山本宪治
分类号 G06F3/041(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I 主分类号 G06F3/041(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 金世煜;赵曦
主权项 一种带有透明电极的基板,在透明膜基板的至少一面,依次具有第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、及被图案化的透明电极层;所述第一电介质层是以SiO<sub>x</sub>为主要成分且膜厚为1nm~25nm的硅氧化物层,其中x≥1.5;所述第二电介质层是以选自Nb、Ta、Ti、Zr、Zn、及Hf中的1种以上的金属的氧化物为主要成分且膜厚为5nm以上且小于10nm的金属氧化物层;所述第三电介质层是以SiO<sub>y</sub>为主要成分且膜厚为35nm~55nm的硅氧化物层,其中y>x;所述透明电极层是以铟‑锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm~35nm的导电性金属氧化物层;所述第一电介质层的折射率n<sub>1</sub>、所述第二电介质层的折射率n<sub>2</sub>、及所述第三电介质层的折射率n<sub>3</sub>满足n<sub>3</sub><n<sub>1</sub><n<sub>2</sub>的关系;所述透明电极层的折射率n<sub>4</sub>为1.88以下、电阻率为5.0×10<sup>‑4</sup>Ω·cm以下。
地址 日本大阪府