| 摘要 |
实施形态的半导体装置，系具备：第1导电形的第1半导体层；第1导电形的第2半导体层及第2导电形的第3半导体层，系于前述第1半导体层上，交互设置于对于前述第1半导体层的主面略平行之方向；第2导电形的第4半导体层，系设置于前述第2半导体层及前述第3半导体层上；第1导电形的第5半导体层，系选择性设置于前述第4半导体层的表面；控制电极，系于从前述第5半导体层的表面，贯通前述第4半导体层，并连接前述第2半导体层之沟内，隔着绝缘膜而设置；第1主电极，系连接于前述第1半导体层；第2主电极，系连接于前述第4半导体层及前述第5半导体层；及第1导电形的第6半导体层，系设置于前述第4半导体层与前述第2半导体层之间。前述第6半导体层的不纯物浓度，系比前述第2半导体层的不纯物浓度还高。 |
