化合物半导体装置及其制造方法

摘要

一种化合物半导体装置之一实施例包括：一基材；一电子通道层及一电子供应层，其形成在该基材上方；一闸极电极，一源极电极及一汲极电极，其形成在该电子供应层上或上方；一第一p型半导体层，其形成在该电子供应层与该闸极电极之间；及一第二p型半导体层，其形成在该电子供应层与该源极电极及该汲极电极中之至少一电极之间。在该第二p型半导体层上之该源极电极及该汲极电极中之该一电极包括：一第一金属膜；及一第二金属膜，其在该第一金属膜之闸极电极侧接触该第一金属膜，且该第二金属膜之电阻比该第一金属膜之电阻高。

主权项

一种化合物半导体装置，包含：一基材；一电子通道层及一电子供应层，其形成在该基材上方；一闸极电极，一源极电极及一汲极电极，其形成在该电子供应层上或上方；一第一p型半导体层，其形成在该电子供应层与该闸极电极之间；及一第二p型半导体层，其形成在该电子供应层与该源极电极及该汲极电极中之至少一电极之间，其中在该第二p型半导体层上之该源极电极及该汲极电极中之该一电极包含：一第一金属膜；及一第二金属膜，其在该第一金属膜之该闸极电极侧接触该第一金属膜，且该第二金属膜之电阻比该第一金属膜之电阻高。