| 发明名称 | 光谱选择性光电探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节窗口位于条状主吸收窗口一侧或两侧。本发明还提供一种如上述的光谱选择性光电探测器的制备方法，包括步骤：1）提供基底；2）在基底上生长等离激元结构层并图形化，以形成介质结构单元；3）在等离激元结构层上生长掺锡氧化铟层。 | ||
| 申请公布号 | CN102651421B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201210135778.4 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 张传杰;王建峰;黄增立;徐科 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，其特征在于，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节窗口位于条状主吸收窗口一侧或两侧，以降低吸收峰的半高宽。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||