一种Si基GaN的LED结构及其制作方法

摘要

一种Si基GaN的LED结构及其制作方法，该其结构依次包括Si衬底、第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN、GaN非掺杂层、P型接触层、高温P型GaN层、P型电子阻挡层、多量子阱层、N型GaN层；所述第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN4组成的三明治结构缓冲层。本发明中三明治缓冲层结构以夹心层形成裂纹的形式来缓解结构材料与Si衬底之间的晶格失配和热失配，同时在衬底剥离之后，在P型GaN表面形成光线的漫反射区从而有效提高氮化镓基发光二极管的发光效率。

主权项

一种Si基GaN的LED结构，其特征在于：该其结构依次包括Si衬底(1)、第一高温AlN(2)、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格(3)、第二高温AlN(4)、GaN非掺杂层(5)、P型接触层(6)、高温P型GaN层(7)、P型电子阻挡层(8)、多量子阱层(9)、N型GaN层(10)；所述第一高温AlN(2)、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格(3)、第二高温AlN4组成的三明治结构缓冲层。