Halbleiterbauelement

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, das Transistoren aufweist oder Source- und Drain-Elektroden aufweist. Ein Halbleiterbauelement der Erfindung beinhaltet eine erste Source-Elektrode (24a), die so konfiguriert ist, dass sie eine erste Stromschiene (44) mit einem ersten Störstellenbereich (12) verbindet, wobei die erste Stromschiene mit einer ersten Spannungsquelle gekoppelt ist; eine zweite Source-Elektrode (24b), die so konfiguriert ist, dass sie eine zweite Stromschiene (46) mit einem zweiten Störstellenbereich (14) verbindet, wobei die zweite Stromschiene mit einer zweiten Spannungsquelle gekoppelt ist, wobei sich die erste und die zweite Spannungsquelle unterscheiden; eine Gate-Elektrode (22) auf dem ersten und dem zweiten Störstellenbereich; eine erste Drain-Elektrode (26a) auf dem ersten Störstellenbereich; eine zweite Drain-Elektrode (26b) auf dem zweiten Störstellenbereich; und eine Zwischenverbindungsleitung (64), die mit der ersten Drain-Elektrode und der zweiten Drain-Elektrode verbunden ist, wobei die Zwischenverbindungsleitung wenigstens eine geschlossene Schleife bildet. Verwendung z. B. in tragbaren Computern und Smartphones.