| 摘要 |
電磁放射を誘導および吸収するためのデバイスであって、該デバイスは、電磁放射を吸収するための吸収手段と、吸収手段に結合され、電磁放射を吸収手段に誘導する導波路とを備え、導波路および吸収手段は、第１のクラッド層、第１のクラッド層の上の第２のクラッド層、および第１のクラッド層と第２のクラッド層との間の量子井戸層を備える構造から形成され、量子井戸層は、第１のクラッド層および第２のクラッド層とは異なる組成を有する材料から形成されており、量子井戸層の厚さおよび組成は、吸収手段内で電磁放射を吸収するのに適切なバンドギャップを提供しながら、導波路内で許容可能なレベルの電磁放射の吸収を可能にするように最適化される。【選択図】図３ |
