发明名称 |
金属表面缺陷的处理方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种金属表面缺陷的处理方法,通过在非Pad区域表面上覆盖一掩膜层,并采用高能量的正离子轰击于Pad区域中的缺陷晶体使其变成晶体碎片,之后移除掩膜层并进行湿法清洗工艺,以完全去除缺陷晶体,同时形成一钝化层保护Pad区域。通过本发明的技术方案可以完全去除Pad区域表面的缺陷晶体,降低了产品报废的风险,极大的提高了产品的生产率,增强了工艺流程的可控性。 |
申请公布号 |
CN104282534A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201410497869.1 |
申请日期 |
2014.09.24 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
刘珩;占琼;刘天建;周永亮 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种金属表面缺陷的处理方法,其特征在于,所述方法包括:提供一半导体结构,所述半导体结构的表面设有Pad区域和非Pad区域,所述Pad区域的上表面具有缺陷晶体;于所述非Pad区域的上表面覆盖一掩膜层,并对所述Pad区域的上表面进行干法处理,以将所述缺陷晶体转变为晶体碎片;去除所述掩膜层,并对所述半导体结构进行湿法清洗处理,以去除所述晶体碎片;对所述Pad区域的上表面进行钝化处理,以形成一层钝化层。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |