| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层金属-石墨烯层，形成伪栅、侧墙、源/漏区、层间介质层，去除伪栅以及伪栅下面的金属-石墨烯层，形成栅介质层和栅电极，最后刻蚀接触孔，填充接触孔，并进行平坦化。相应地，本发明还提供了一种半导体结构，利于减小源/漏区的接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104282541A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310282657.7 | 申请日期 | 2013.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;叶甜春 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：a）提供衬底（100），在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构（110）以及有源区；b）在所述衬底（100）之上形成金属‑石墨烯层（200）；c）在所述金属‑石墨烯层（200）上形成伪栅（220）、侧墙（400）、源/漏区（230）以及层间介质层（300）；d）去除所述伪栅（220）以及所述伪栅下面的金属‑石墨烯层；e）在所述伪栅（220）的位置形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括栅介质层（210）和栅电极（250）；f）通过刻蚀所述层间介质层（300）形成到达所述金属‑石墨烯层（200）的接触孔（600），以导电材料填充所述接触孔（600），并进行平坦化。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||