发明名称 |
红外线发射器与NDIR传感器 |
摘要 |
以微热板设备的形式提供一种红外线源。所述微热板设备包括CMOS金属层,所述CMOS金属层由至少一层嵌入由硅基板所支撑的电介质膜所构成。所述设备以接着进行背刻蚀步骤的CMOS工艺形成。所述设备对本领域设备的发展是有利的,因为它提供微机械红外线源,能够实现高温度(从而实现更高辐射),而且同时能够被商业的CMOS工艺所制造,从而具有低制造成本、高再现性与高可靠性以及提供单片集成电路的可能性。所述设备也能够与红外线检测器集成在相同的芯片上并被封装以形成完整的NDIR传感器。 |
申请公布号 |
CN104285500A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201380024495.5 |
申请日期 |
2013.05.02 |
申请人 |
剑桥CMOS传感器有限公司 |
发明人 |
S·Z·阿里;F·乌德雷亚;J·加德纳;M·F·乔杜里;I·波埃纳鲁 |
分类号 |
H05B3/14(2006.01)I;G01N27/16(2006.01)I;G01N21/35(2014.01)I;H05B3/26(2006.01)I |
主分类号 |
H05B3/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
孙向民;肖冰滨 |
主权项 |
一种红外线源,该红外线源包括电阻加热器,所述电阻加热器由电介质膜上的CMOS金属制成,所述电解质膜以接着进行背刻蚀的CMOS工艺制造。 |
地址 |
英国剑桥郡 |