| 摘要 |
<p>L'invention se rapporte à une cellule mémoire non volatile, caractérisée en ce qu'elle comprend :
- au moins un substrat de silicium dopé (4), un composant isolé (20) étant inséré dans une tranchée fabriquée dans ledit substrat (4), la tranchée séparant partiellement le substrat en deux sections (41, 42),
- au moins deux couches de silicium (52, 51) dont le dopage est opposé à celui du substrat de silicium (4), une première couche de silicium (51) couvrant au moins en partie la première section (41) du substrat de silicium et une seconde couche de silicium (52) couvrant au moins en partie la seconde section (52) du substrat de silicium, la première couche de silicium (51) étant discontinue afin de former une région de source (511) et une région de drain (510) avec un canal induit entre celles-ci,
- une région de source (80) et une région de drain (81) avec un canal induit entre les deux régions, une de ces régions étant adjacente à la première couche de silicium (51), une structure de grille comprenant une couche diélectrique (70) et une couche conductrice (71) étant placée au moins sur le canal, le substrat de silicium (4), les régions de source (80) et de drain (81) et la structure de grille formant un transistor de sélection pour permettre le flux d'électrons au moins dans la première couche de silicium (51),
- une structure de grille flottante sur les deux couches de silicium (52, 51), ladite structure comprenant une couche diélectrique mince (60) et une couche conductrice (61), au moins une partie des couches diélectrique (60) et conductrice (61) placée sur la première couche de silicium (51) ayant une forme de marche d'escalier afin d'améliorer l'injection d'électrons dans la couche conductrice (60) de la structure de grille flottante ou dans la première couche de silicium (51), en fonction de la manière dont la couche conductrice de la grille flottante et la première couche de silicium sont polarisées.</p> |
