发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种断续式组件穿孔模组。组件穿孔模组包括一基底,以及多个导孔,由基底之表面延伸至基底之中,其中断续式组件穿孔模组中每一导孔的一端并无导电部件与其连接。本发明亦揭示一种组件穿孔模组之制造方法。 |
申请公布号 |
TWI469285 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
申请号 |
TW101132459 |
申请日期 |
2012.09.06 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
陈志华;陈承先;萧景文 |
分类号 |
H01L23/48;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:一断续式组件穿孔模组,包括:一基底,包括一上表面;多个导孔,由该基底之该上表面延伸至该基底之中,其中该断续式组件穿孔模组中每一该导孔的一端并无导电部件与其连接;以及多个穿孔条,延伸至该基底中,其中该多个穿孔条包括:彼此互连的第一多个穿孔条,以形成一电容器之一第一电容板,其中上述第一多个穿孔条透过第一重分布线于该基底上方彼此互连;以及彼此互连第二多个穿孔条,以形成一电容器之一第二电容板,其中上述第二多个穿孔条透过第二重分布线于该基底上方彼此互连。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |