具有内建背闸极在SOI中或块矽中的接面场效电晶体(JFET) JFET WITH BUILT IN BACK GATE IN EITHER SOI OR BULK SILICON

摘要

藉由刻意地短路通路-井PN接面与闸极区来达成一对于背闸极不具有表面接触且在通路中具有多达两倍跨导(transconductance)及较高切换速度之接面场效电晶体。藉由至少在闸极区中刻意地将主动区域外侧之场氧化物蚀除至通路-井PN接面或一与该井呈电性接触之经埋设闸极来达成此作用。然后多晶矽被沉积在沟道中且重度地掺杂并利用一退火步骤将杂质驱入通路区的顶部及侧壁内藉以生成一使通路区的侧壁往下触及至通路-井PN接面之“包绕(wrap-around)"闸极区。这造成施加至闸极终端之偏压亦被施加至该井,其中空乏区位于闸极-通路PN接面与通路-井PN接面两者周围。